近年來在光通信、光互連巨大需求的推動下，硅基光電子集成技術(shù)蓬勃發(fā)展。但由于硅是間接帶隙半導(dǎo)體，發(fā)光效率不高，硅基光源這一核心器件成為制約其發(fā)展的瓶頸，特別是符合超高速光通信和波分復(fù)用要求的單色性好、波長精確可控的硅基激光器一直沒有實現(xiàn)。將發(fā)光特性優(yōu)良的III－V族化合物半導(dǎo)體材料直接外延生長到晶格不匹配的硅襯底上，并制作高性能硅基半導(dǎo)體激光器一直被視為實現(xiàn)大規(guī)模、低成本、高性能硅基光源和光電集成芯片的關(guān)鍵核心技術(shù)途徑。

近日，中山大學(xué)光電材料與技術(shù)國家重點實驗室余思遠教授團隊與英國倫敦大學(xué)學(xué)院（UCL）劉會赟教授團隊合作，成功實現(xiàn)了國際首例硅基外延生長電抽運室溫連續(xù)工作分布反饋式（DFB）激光器陣列芯片。

余思遠團隊依托其近年建設(shè)的先進光電子集成工藝平臺，采用劉會赟團隊的先進硅基外延量子點增益材料，成功制備了硅基直接外延生長的集成多波長分布反饋（DFB）激光器陣列芯片。

該芯片將是未來光通信技術(shù)的核心芯片，這項研究將我國的核心光電子集成芯片技術(shù)推向國際頂尖水平，對于在激烈的國際高技術(shù)競爭背景下打破國際壟斷，占領(lǐng)未來技術(shù)高地，提升我國自主研發(fā)能力，具有重要意義。